MOSFET, 2 elem/chip, 4,4 A, 6,2 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si

RS raktári szám:: 671-0539
Gyártó cikkszáma:: FDS4897C
Gyártó:: onsemi

MOSFET, 2 elem/chip, 4,4 A, 6,2 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si

Kategória megtekintése

30 raktáron van a következő munkanapon való szállításra, ha a megrendelést 16:00 óra előtt feladják.

5 további szállítása 2 munkanapon belül.

Ár Darab (5 darabos csomagbol)

315 Ft

(ÁFA nélkül)

400 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csomagonként*
5 - 20	315 Ft	1 576 Ft
25 - 95	261 Ft	1 307 Ft
100 - 245	172 Ft	858 Ft
250 - 495	162 Ft	811 Ft
500 +	154 Ft	772 Ft

*ár

RS raktári szám:: 671-0539
Gyártó cikkszáma:: FDS4897C
Gyártó:: onsemi

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

PowerTrench® Dual N/P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor

A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a kicsi kapufeltöltést (Qg), a kis fordított visszafejtési díjat (Qrr) és a puha hátrameneti térerősségvédő diódát, ami hozzájárul a szinkron egyenáram/egyenáram ellátás gyors átkapcsolásához.
A legújabb PowerTTrench® MOSFET-ek a terheléselosztást biztosító árnyékolt kapuszerkezetet alkalmazzák. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegyábra) jóval kisebb az előző generációhoz képest.
A PowerTTrench® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítményén kiküszöbölhető a rugalmas áramkör, illetve kicserélhető a nagyobb névleges feszültségű MOSFET.

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N, P
Maximális folyamatos nyelőáram	4,4 A, 6,2 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	40 V
Csomag típusa	SOIC
Sorozat	PowerTrench
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	8
Maximális nyelő forrásellenállás	29 mΩ, 46 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség	1V
Maximális teljesítménydisszipáció	2 W
Tranzisztorkonfiguráció	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	14 nC 10 V esetén, 20 nC 10 V esetén
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Tranzisztor anyaga	Si
Elemek száma chipenként	2
Hossz	5mm
Szélesség	4mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	1.5mm