MOSFET, 1 elem/chip, 8.3 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si

Minden MOSFET-ek megtekintése
Összevont kedvezmény elérhető

Részösszeg (1 egység)*

1412 Ft

(ÁFA nélkül)

1793 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 130 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
1 - 11 412 Ft
2 +1 340 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
687-5318
Gyártó cikkszáma:
STW11NK100Z
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram

8.3 A

Maximális nyelő forrásfeszültség

1000 V

Csomag típusa

TO-247

Sorozat

MDmesh, SuperMESH

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Tüskék száma

3

Maximális nyelő forrásellenállás

1,38 Ω

Csatorna mód

Növekményes

Maximális kapu küszöbfeszültség

4.5V

Minimális kapu küszöbfeszültség

3V

Maximális teljesítménydisszipáció

230 W

Tranzisztorkonfiguráció

Egyszeres

Maximális kapu forrásfeszültség

-30 V, +30 V

Szélesség

5.15mm

Hossz

15.75mm

Maximális működési hőmérséklet

+150 °C

Elemek száma chipenként

1

Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél

113 nC 10 V esetén

Tranzisztor anyaga

Si

Magasság

20.15mm

Min. működési hőmérséklet

-55 °C

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics



MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics

Kapcsolódó linkek