Szolgáltatásaink
Ipari portál
Új termékek
Csomagkövetés
Bejelentkezés / Regisztráció
Jelentkezzen be
/
Regisztráljon,
hogy hozzáférjen az előnyökhöz
Menü
Gyártói szám
Legutóbb keresett
Biztonság és épületlakatosság
Irodai kellékek
Munkavédelem
Számítástechnika és perifériák
Tesztelés és mérés
Védőfelszerelés és munkaruházat
Épülettisztítás és karbantartás
Automatizálás és szabályozástechnika
Biztosítékok és megszakítók
Burkolatok és szerverszekrények
HVAC (fűtés, szellőztetés és klimatizálás)
Kapcsolók
Kábelek és vezetékek
Relék és jelkondicionálás
Világítás
Akkumulátorok és töltők
Csatlakozók
ESD-védett vezérlés, Tisztatér és NYÁK-prototípuskészítés
Félvezetők
Kijelzők és optoelektronikai termékek
Passzív alkatrészek
Raspberry Pi Arduino ROCK és fejlesztőeszközök
Tápegységek és transzformátorok
Csapágyak és tömítések
Elektromos szerszámok, Forrasztás és hegesztés
Hozzáférés, Tárolás és anyagmozgatás
Kézi szerszámok
Mechanikus erőátvitel
Mérnöki anyagok és ipari hardverek
Pneumatika és hidraulika
Ragasztók, tömítőanyagok és ragasztószalagok
Rögzítők és kötőelemek
Víz- és csővezetékek
/
Félvezetők
/
Diszkrét félvezetők
/
MOSFET-ek
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 70 V, 4-tüskés, DA TetraFET Egyszeres Si
RS raktári szám:
738-7657P
Gyártó cikkszáma:
D1002UK
Gyártó:
Semelab
Kategória megtekintése
Megszüntetett termék
RS raktári szám:
738-7657P
Gyártó cikkszáma:
D1002UK
Gyártó:
Semelab
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Jellemzők
RF MOSFET 40W 28V 175MHz Single-Ended DA
ESD Control Selection Guide V1
RoHS követelményeknek megfelelő
Származási ország (Country of Origin):
GB
RF MOSFET tranzisztorok, Semelab
MOSFET tranzisztorok, Semelab
Tulajdonság
Érték
Csatorna típusa
N
Maximális folyamatos nyelőáram
10 A
Maximális nyelő forrásfeszültség
70 V
Sorozat
TetraFET
Csomag típusa
DA
Rögzítés típusa
Csavaros rögzítés
Tüskék száma
4
Csatorna mód
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség
7V
Maximális teljesítménydisszipáció
87 W
Tranzisztorkonfiguráció
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség
-20 V, +20 V
Maximális működési hőmérséklet
+200 °C
Hossz
24.76mm
Elemek száma chipenként
1
Tranzisztor anyaga
Si
Szélesség
9.52mm
Magasság
6.6mm