Szolgáltatásaink
Ipari portál
Új termékek
Csomagkövetés
Bejelentkezés / Regisztráció
Jelentkezzen be
/
Regisztráljon,
hogy hozzáférjen az előnyökhöz
Menü
Gyártói szám
Legutóbb keresett
Biztonság és épületlakatosság
Irodai kellékek
Munkavédelem
Számítástechnika és perifériák
Tesztelés és mérés
Védőfelszerelés és munkaruházat
Épülettisztítás és karbantartás
Automatizálás és szabályozástechnika
Biztosítékok és megszakítók
Burkolatok és szerverszekrények
HVAC (fűtés, szellőztetés és klimatizálás)
Kapcsolók
Kábelek és vezetékek
Relék és jelkondicionálás
Világítás
Akkumulátorok és töltők
Csatlakozók
ESD-védett vezérlés, Tisztatér és NYÁK-prototípuskészítés
Félvezetők
Kijelzők és optoelektronikai termékek
Passzív alkatrészek
Raspberry Pi Arduino ROCK és fejlesztőeszközök
Tápegységek és transzformátorok
Csapágyak és tömítések
Elektromos szerszámok, Forrasztás és hegesztés
Hozzáférés, Tárolás és anyagmozgatás
Kézi szerszámok
Mechanikus erőátvitel
Mérnöki anyagok és ipari hardverek
Pneumatika és hidraulika
Ragasztók, tömítőanyagok és ragasztószalagok
Rögzítők és kötőelemek
Víz- és csővezetékek
/
Félvezetők
/
Diszkrét félvezetők
/
MOSFET-ek
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 65 V, 3-tüskés, SOT-223 TetraFET Egyszeres Si
RS raktári szám:
738-7720P
Gyártó cikkszáma:
D2081UK.F
Gyártó:
Semelab
Kategória megtekintése
Megszüntetett termék
RS raktári szám:
738-7720P
Gyártó cikkszáma:
D2081UK.F
Gyártó:
Semelab
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Jellemzők
RF MOSFET 0.75W 12V 1GHz Single-E SOT223
ESD Control Selection Guide V1
RoHS követelményeknek megfelelő
Származási ország (Country of Origin):
GB
RF MOSFET tranzisztorok, Semelab
MOSFET tranzisztorok, Semelab
Tulajdonság
Érték
Csatorna típusa
N
Maximális folyamatos nyelőáram
200 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség
65 V
Csomag típusa
SOT-223
Sorozat
TetraFET
Rögzítés típusa
Felületre szerelhető
Tüskék száma
3
Csatorna mód
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség
7V
Maximális teljesítménydisszipáció
2 W
Tranzisztorkonfiguráció
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség
-20 V, +20 V
Szélesség
3.7mm
Hossz
6.7mm
Maximális működési hőmérséklet
+150 °C
Elemek száma chipenként
1
Tranzisztor anyaga
Si
Magasság
1.7mm