MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si

RS raktári szám:: 739-4857
Gyártó cikkszáma:: FDMS86104
Gyártó:: onsemi

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si

Kategória megtekintése

Ez a termék jelenleg nem elérhető utánrendeléshez.

Sajnos ez a termék nincs raktáron, és jelenleg nem áll rendelkezésre utánrendelésre.

Ár Darab

346 Ft

(ÁFA nélkül)

439 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként
1 +	346 Ft

RS raktári szám:: 739-4857
Gyártó cikkszáma:: FDMS86104
Gyártó:: onsemi

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	39 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Csomag típusa	PQFN8
Sorozat	PowerTrench
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	8
Maximális nyelő forrásellenállás	40 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	73 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	11,7 nC 10 V esetén
Szélesség	6mm
Hossz	5mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Tranzisztor anyaga	Si
Elemek száma chipenként	1
Magasság	1.05mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C