MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si

RS raktári szám:: 739-4857P
Gyártó cikkszáma:: FDMS86104
Gyártó:: onsemi

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si

Kategória megtekintése

Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk

Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon

346 Ft

(ÁFA nélkül)

439 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként
1 +	346 Ft

RS raktári szám:: 739-4857P
Gyártó cikkszáma:: FDMS86104
Gyártó:: onsemi

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	39 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Sorozat	PowerTrench
Csomag típusa	PQFN8
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	8
Maximális nyelő forrásellenállás	40 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	73 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Szélesség	6mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	11,7 nC 10 V esetén
Tranzisztor anyaga	Si
Hossz	5mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Elemek száma chipenként	1
Magasság	1.05mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C