MOSFET, 1 elem/chip, 2.6 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS Egyszeres Si

RS raktári szám:: 753-2816P
Gyártó cikkszáma:: BSP318SH6327XTSA1
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 2.6 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.05.07. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon

247 Ft

(ÁFA nélkül)

314 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit
100 - 240	247 Ft
250 - 490	237 Ft
500 - 990	226 Ft
1000 +	211 Ft

RS raktári szám:: 753-2816P
Gyártó cikkszáma:: BSP318SH6327XTSA1
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	2.6 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	60 V
Sorozat	SIPMOS
Csomag típusa	SOT-223
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	150 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	2V
Minimális kapu küszöbfeszültség	1.2V
Maximális teljesítménydisszipáció	1.8 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Szélesség	3.5mm
Hossz	6.5mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Elemek száma chipenként	1
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	14 nC 10 V esetén
Tranzisztor anyaga	Si
Magasság	1.6mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

RS raktári szám:: 753-2816P
Gyártó cikkszáma:: BSP318SH6327XTSA1
Gyártó:: Infineon