MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si

Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tartalmaz, amelyek képesek kielégíteni az alaplap szinte bármilyen elrendezését és a termikus tervezési kihívást. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

A StrongIRFETTM teljesítmény MOSFET-családot az alacsony R_DS(on) és nagy áramerősségű. Az eszközök ideálisak a teljesítményt és robusztusságot igénylő alacsony frekvenciájú alkalmazásokhoz. Az átfogó portfólió számos alkalmazást foglal magában, beleértve az egyenáramú motorokat, az akkumulátorkezelő rendszereket, az invertereket és az egyenáram-egyenáramú átalakítókat.

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.