MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si

Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen a működés közbeni ellenállás, továbbá hogy robusztus és megbízható teljesítményt és gyors kapcsolást biztosítson.

A 2N7002DW kettős N-csatornás általános célú MOSFET. Alacsony bekapcsolási ellenállású, és alacsony kamraajtó küszöbfeszültséggel rendelkezik. Gyors kapcsolási sebességet is biztosít, és rendkívül kis méretű, felületre szerelhető kivitelben kapható. Ezt a kettős N-csatornás MOSFET-et általában minden általános célú alkalmazásban használják, de általában a motorvezérlésben és a PMF-ekben használják (teljesítménykezelő funkciók).

• Két N-csatorna
• Alacsony az ellenálláson
• Alacsony kamraajtó küszöbérték
• Gyorskapcsolás sebessége
• Alacsony bemeneti és kimeneti szivárgás

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.