MOSFET, 2 elem/chip, 340 mA, 510 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si

Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen a működés közbeni ellenállás, továbbá hogy robusztus és megbízható teljesítményt és gyors kapcsolást biztosítson.

Az NDC7001C két N és P-csatornás MOSFET, amely magában foglalja a félautomata CMOS technológiát. A DMOS gyors kapcsolást, megbízhatóságot és bekapcsolt állapotú ellenállást biztosít. Ezek a MOSFET-ek SOT-23 csomagból készültek, 6 tűs szerelvénnyel.

• MOS technológia
• Nagy telítettség
• Nagysűrűségű cellaterv
• Réz vezetékkeret a kiváló hő- és elektromos teljesítmény érdekében

• Alacsony feszültség
• Alacsony áramerősség
• Kapcsoló
• Tápegységek

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.