MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 20 V, 3-tüskés, Smini3-G1-B MTM Egyszeres Si

Megszüntetett termék

Műszaki referencia

Panasonic MOSFET tranzisztorok

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	P
Maximális folyamatos nyelőáram	3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	20 V
Sorozat	MTM
Csomag típusa	Smini3-G1-B
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	40 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	1.3V
Maximális teljesítménydisszipáció	500 mW
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-10 V, +10 V
Szélesség	1.25mm
Tranzisztor anyaga	Si
Hossz	2mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Elemek száma chipenként	1
Magasság	0.8mm