Szolgáltatásaink
Ügyféltámogatás
Új termékek
Csomagkövetés
Bejelentkezés / Regisztráció
Jelentkezzen be
/
Regisztráljon,
hogy hozzáférjen az előnyökhöz
Menü
Gyártói szám
Legutóbb keresett
Biztonság és épületlakatosság
Irodai kellékek
Munkavédelem
Számítástechnika és perifériák
Tesztelés és mérés
Védőfelszerelés és munkaruházat
Épülettisztítás és karbantartás
Automatizálás és szabályozástechnika
Biztosítékok és megszakítók
Burkolatok és szerverszekrények
HVAC (fűtés, szellőztetés és klimatizálás)
Kapcsolók
Kábelek és vezetékek
Relék és jelkondicionálás
Világítás
Akkumulátorok és töltők
Csatlakozók
ESD-védett vezérlés, Tisztatér és NYÁK-prototípuskészítés
Félvezetők
Kijelzők és optoelektronikai termékek
Passzív alkatrészek
Raspberry Pi Arduino ROCK és fejlesztőeszközök
Tápegységek és transzformátorok
Csapágyak és tömítések
Elektromos szerszámok, Forrasztás és hegesztés
Hozzáférés, Tárolás és anyagmozgatás
Kézi szerszámok
Mechanikus erőátvitel
Mérnöki anyagok és ipari hardverek
Pneumatika és hidraulika
Ragasztók, tömítőanyagok és ragasztószalagok
Rögzítők és kötőelemek
Víz- és csővezetékek
Félvezetők
Diszkrét félvezetők
MOSFET-ek
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 800 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si
RS raktári szám:
796-5159P
Gyártó cikkszáma:
TK10J80E
Gyártó:
Toshiba
Kategória megtekintése
Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk
Add to Basket
Egység
Előrendelés
Hozzáadás egy alkatrészlistához
Ár Darab (rudon)
1 288 Ft
(ÁFA nélkül)
1 636 Ft
(ÁFÁ-val)
Egység
Egységenként
5 +
1 288 Ft
Csomagolás típusa:
Normál csomagolás
Gyártási csomagolás
RS raktári szám:
796-5159P
Gyártó cikkszáma:
TK10J80E
Gyártó:
Toshiba
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Jellemzők
TK10J80E, MOSFET Silicon N-Channel MOS Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHS követelményeknek megfelelő
Toshiba MOSFET tranzisztorok
Tulajdonság
Érték
Csatorna típusa
N
Maximális folyamatos nyelőáram
10 A
Maximális nyelő forrásfeszültség
800 V
Sorozat
TK
Csomag típusa
TO-3PN
Rögzítés típusa
Furatszerelt
Tüskék száma
3
Maximális nyelő forrásellenállás
1 Ω
Csatorna mód
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség
4V
Maximális teljesítménydisszipáció
250 W
Tranzisztorkonfiguráció
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség
-30 V, +30 V
Elemek száma chipenként
1
Szélesség
4.5mm
Tranzisztor anyaga
Si
Hossz
15.5mm
Maximális működési hőmérséklet
+150 °C
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél
46 nC 10 V esetén
Magasság
20mm