MOSFET, 1 elem/chip, 34 A, 80 V, 4-tüskés, SOT-669 Egyszeres Si

Műszaki referencia

Megszüntetett termék

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	34 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	80 V
Csomag típusa	SOT-669
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	4
Maximális nyelő forrásellenállás	42 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	74 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	20 nC 10 V esetén
Hossz	5mm
Elemek száma chipenként	1
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Tranzisztor anyaga	Si
Szélesség	4.1mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	1.1mm