MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 804-7577
- Gyártó cikkszáma:
- IXFN44N100Q3
- Gyártó:
- IXYS
1 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab
21 446 Ft
(ÁFA nélkül)
27 236 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit |
| 1 - 1 | 21 446 Ft |
| 2 - 4 | 18 853 Ft |
| 5 - 9 | 18 361 Ft |
| 10 - 29 | 17 885 Ft |
| 30 + | 17 460 Ft |
- RS raktári szám:
- 804-7577
- Gyártó cikkszáma:
- IXFN44N100Q3
- Gyártó:
- IXYS
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat
A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zavartűréssel. Az eszközök gyors intrinsic diódát tartalmaznak, és számos ipari szabvány csomagban kaphatók, beleértve az izolált típusokat is, amelyek névleges értéke 1100V és 70A lehet Jellemző felhasználási területek: DC-DC átalakítók, akkumulátortöltők, kapcsolási üzemmód és rezonáns üzemmódú tápegységek, DC Elosztók, hőmérséklet- és világításvezérlés.
Gyors belső egyenirányító dióda
Alacsony RDS(on) és QG (kapufeltöltés)
Alacsony belső kapu ellenállás
Iparági szabványnak megfelelő csomagolás
Alacsony csomag-induktivitás
Nagy teljesítménysűrűség
Alacsony RDS(on) és QG (kapufeltöltés)
Alacsony belső kapu ellenállás
Iparági szabványnak megfelelő csomagolás
Alacsony csomag-induktivitás
Nagy teljesítménysűrűség
MOSFET tranzisztorok, IXYS
Advanced Power MOSFET eszközök széles választéka az IXYS számítógépektől
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | N |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 38 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 1000 V |
| Csomag típusa | SOT-227 |
| Sorozat | HiperFET, Q3-Class |
| Rögzítés típusa | Csavaros rögzítés |
| Tüskék száma | 4 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 220 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Maximális kapu küszöbfeszültség | 6.5V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 960 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | -30 V, +30 V |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Hossz | 38.23mm |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Tranzisztor anyaga | Si |
| Szélesség | 25.07mm |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 264 nC 10 V esetén |
| Magasság | 9.6mm |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |