MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 806-3664P
- Gyártó cikkszáma:
- FDS8638
- Gyártó:
- onsemi
Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk
Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon
486 Ft
(ÁFA nélkül)
617 Ft
(ÁFÁ-val)
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 10 - 95 | 486 Ft |
| 100 - 245 | 379 Ft |
| 250 - 495 | 368 Ft |
| 500 + | 321 Ft |
- RS raktári szám:
- 806-3664P
- Gyártó cikkszáma:
- FDS8638
- Gyártó:
- onsemi
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | N |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 18 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 40 V |
| Csomag típusa | SOIC |
| Sorozat | PowerTrench |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
| Tüskék száma | 8 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 6,3 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Minimális kapu küszöbfeszültség | 1V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 2,5 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Szélesség | 3.9mm |
| Hossz | 4.9mm |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 27 nC 4,5 V esetén, 61 nC 10 V esetén |
| Tranzisztor anyaga | Si |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
| Magasság | 1.575mm |