MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN UniFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 809-0783P
Gyártó cikkszáma:: FDA28N50F
Gyártó:: onsemi

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN UniFET Egyszeres Si

Megszüntetett termék

RS raktári szám:: 809-0783P
Gyártó cikkszáma:: FDA28N50F
Gyártó:: onsemi

FDA28N50F, N-Channel UniFET FRFET MOSFET 500V 28A 175mOhm Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	28 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	500 V
Sorozat	UniFET
Csomag típusa	TO-3PN
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	175 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség	3V
Maximális teljesítménydisszipáció	310 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-30 V, +30 V
Elemek száma chipenként	1
Tranzisztor anyaga	Si
Hossz	15.8mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Szélesség	5mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	80 nC 10 V esetén
Magasság	20.1mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN UniFET Egyszeres Si

UnilFET™ N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor