MOSFET, 1 elem/chip, 195 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB StrongIRFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 820-8833
Gyártó cikkszáma:: IRFB7530PBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 195 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB StrongIRFET Egyszeres Si

Összevont kedvezmény elérhető

Ár Darab (2 darabos csomagbol)**

823 Ft

(ÁFA nélkül)

1 045 Ft

(ÁFÁ-val)

920 Raktáron van 4 munkanapon belüli szállításra.*

*A szállítási határidők a rendelt mennyiség és a szállítási cím függvényében változhatnak.

INGYENES házhozszállítás 15 000 Ft felett

Valós idejű készletellenőrzés

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Egység	Egységenként	csomagonként**
2 - 18	823 Ft	1 646 Ft
20 - 48	733 Ft	1 466 Ft
50 - 98	693 Ft	1 385 Ft
100 - 198	642 Ft	1 283 Ft
200 +	593 Ft	1 186 Ft

**irányár

RS raktári szám:: 820-8833
Gyártó cikkszáma:: IRFB7530PBF
Gyártó:: Infineon

Infineon StrongIRFET sorozatú MOSFET, 195A maximális folyamatos lefolyóáram, 375W maximális teljesítményleadás - IRFB7530PBF

Ezt a nagyáramú N-csatornás MOSFET-et különböző teljesítményű alkalmazásokhoz tervezték. Fejlett szerkezete lehetővé teszi a hatékony kapcsolást és a figyelemre méltó teljesítményt kihívást jelentő környezetben, így alkalmas az automatizálási és elektronikai ágazatokban, ahol a megbízhatóság és a robusztusság elengedhetetlen az elektromos áramkörök hatékony működéséhez.

Jellemzők és előnyök

• Maximális folyamatos lefolyóáram 195A
• Széles üzemi hőmérséklet-tartomány -55°C és +175°C között
• Fokozott tartósság robusztus lavina és dinamikus dV/dt robusztussággal
• Teljesen jellemzett kapacitás és lavina SOA
• Ólommentes és megfelel a RoHS környezetvédelmi biztonsági előírásoknak

Alkalmazások

• Kefés motoros meghajtásban használatos
• Alkalmas félhíd és teljes híd topológiákhoz
• Szinkron egyenirányítóhoz alkalmas
• Ideális akkumulátoros áramkörökhöz és DC/DC átalakítókhoz
• AC/DC és DC/AC inverterrendszerekkel foglalkozik

Mekkora a maximális kapu küszöbfeszültsége ennek az alkatrésznek?

A maximális kapu küszöbfeszültség 3,7V, ami megkönnyíti a hatékony működést különböző kapu meghajtó konfigurációkban.

Működhet-e ez a MOSFET magas hőmérsékletű környezetben?

Igen, hatékonyan működik -55°C és +175°C közötti hőmérséklet-tartományban, így alkalmas a zord körülmények között is.

Hogyan teljesít ez a MOSFET a teljesítményleadás szempontjából?

Ez 375 W maximális teljesítményleadást tesz lehetővé, ami jelentős terhelési körülmények között is megbízható teljesítményt biztosít.

Alkalmas egyenáramú és váltakozó áramú alkalmazásokban való használatra is?

Ezt az alkatrészt sokoldalúságra tervezték, hatékony teljesítményt nyújt mind DC/DC, mind AC/DC tápátalakító alkalmazásokban.

Milyen hatással van az alacsony RDS(on) az áramköri tervezésre?

Az alacsony RDS(on) minimalizálja a vezetési veszteségeket, ezáltal növeli a rendszer teljes hatékonyságát, kisebb hűtőbordákat tesz lehetővé, és javítja az áramköri tervek hőtechnikai teljesítményét.

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	195 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	60 V
Csomag típusa	TO-220AB
Sorozat	StrongIRFET
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	2 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	3.7V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2.1V
Maximális teljesítménydisszipáció	375 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Elemek száma chipenként	1
Hossz	10.67mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	10 V esetén 274 nC
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Tranzisztor anyaga	Si
Szélesség	4.83mm
Magasság	16.51mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Nyitóirányú diódafeszültség	1.2V