MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 827-3893
Gyártó cikkszáma:: IRF7855TRPBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si

7540 Raktáron van 4 munkanapon belüli szállításra.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Ár Darab (10 darabos csomagbol)

221 Ft

(ÁFA nélkül)

280 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csomagonként*
10 +	221 Ft	2 207 Ft

RS raktári szám:: 827-3893
Gyártó cikkszáma:: IRF7855TRPBF
Gyártó:: Infineon

IRF7855TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	12 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	60 V
Sorozat	HEXFET
Csomag típusa	SOIC
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	8
Maximális nyelő forrásellenállás	9.4 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4.9V
Minimális kapu küszöbfeszültség	3V
Maximális teljesítménydisszipáció	2,5 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Hossz	5mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	26 nC 10 V esetén
Tranzisztor anyaga	Si
Szélesség	4mm
Elemek száma chipenként	1
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	1.5mm

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon