MOSFET, 1 elem/chip, 5,2 A, 55 V, 3-tüskés, SOT-223 HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 827-3994P
Gyártó cikkszáma:: IRFL4105TRPBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 5,2 A, 55 V, 3-tüskés, SOT-223 HEXFET Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2025.07.04. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon

219 Ft

(ÁFA nélkül)

279 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit
100 - 180	219 Ft
200 - 480	205 Ft
500 - 980	191 Ft
1000 +	177 Ft

RS raktári szám:: 827-3994P
Gyártó cikkszáma:: IRFL4105TRPBF
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

N-csatornás MOSFET 55V Infineon

Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amelyek szinte bármilyen alaplap-elrendezéssel és hőtervezéssel kapcsolatos kihívással szembesülnek. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	5,2 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	55 V
Csomag típusa	SOT-223
Sorozat	HEXFET
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	45 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	2,1 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Szélesség	3.7mm
Tranzisztor anyaga	Si
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	23 nC 10 V esetén
Hossz	6.7mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Elemek száma chipenként	1
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	1.8mm

RS raktári szám:: 827-3994P
Gyártó cikkszáma:: IRFL4105TRPBF
Gyártó:: Infineon