MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si

RS raktári szám:: 827-6113P
Gyártó cikkszáma:: TK12E60W,S1VX(S
Gyártó:: Toshiba

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si

Megszüntetett termék

RS raktári szám:: 827-6113P
Gyártó cikkszáma:: TK12E60W,S1VX(S
Gyártó:: Toshiba

TK12E60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	11,5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	600 V
Sorozat	TK
Csomag típusa	TO-220
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	300 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	3.7V
Maximális teljesítménydisszipáció	110 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-30 V, +30 V
Hossz	10.16mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	25 nC 10 V esetén
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	4.45mm
Tranzisztor anyaga	Si
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Magasság	15.1mm