Szolgáltatásaink
Ipari portál
Új termékek
Csomagkövetés
Bejelentkezés / Regisztráció
Jelentkezzen be
/
Regisztráljon,
hogy hozzáférjen az előnyökhöz
Menü
Gyártói szám
Legutóbb keresett
Biztonság és épületlakatosság
Irodai kellékek
Munkavédelem
Számítástechnika és perifériák
Tesztelés és mérés
Védőfelszerelés és munkaruházat
Épülettisztítás és karbantartás
Automatizálás és szabályozástechnika
Biztosítékok és megszakítók
Burkolatok és szerverszekrények
HVAC (fűtés, szellőztetés és klimatizálás)
Kapcsolók
Kábelek és vezetékek
Relék és jelkondicionálás
Világítás
Akkumulátorok és töltők
Csatlakozók
ESD-védett vezérlés, Tisztatér és NYÁK-prototípuskészítés
Félvezetők
Kijelzők és optoelektronikai termékek
Passzív alkatrészek
Raspberry Pi Arduino ROCK és fejlesztőeszközök
Tápegységek és transzformátorok
Csapágyak és tömítések
Elektromos szerszámok, Forrasztás és hegesztés
Hozzáférés, Tárolás és anyagmozgatás
Kézi szerszámok
Mechanikus erőátvitel
Mérnöki anyagok és ipari hardverek
Pneumatika és hidraulika
Ragasztók, tömítőanyagok és ragasztószalagok
Rögzítők és kötőelemek
Víz- és csővezetékek
/
Félvezetők
/
Diszkrét félvezetők
/
MOSFET-ek
MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220SIS TK Egyszeres Si
RS raktári szám:
827-6264P
Gyártó cikkszáma:
TK72A08N1,S4X(S
Gyártó:
Toshiba
Kategória megtekintése
Megszüntetett termék
RS raktári szám:
827-6264P
Gyártó cikkszáma:
TK72A08N1,S4X(S
Gyártó:
Toshiba
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Jellemzők
TK72A08N1, MOSFET Silicon N-Channel MOS (U-MOS VIII-H)
ESD Control Selection Guide V1
RoHS követelményeknek megfelelő
Származási ország (Country of Origin):
CN
MOSFET N-Channel, TK6 és TK7 sorozat Toshiba
Toshiba MOSFET tranzisztorok
Tulajdonság
Érték
Csatorna típusa
N
Maximális folyamatos nyelőáram
72 A
Maximális nyelő forrásfeszültség
80 V
Csomag típusa
TO-220SIS
Sorozat
TK
Rögzítés típusa
Furatszerelt
Tüskék száma
3
Maximális nyelő forrásellenállás
4.5 mΩ
Csatorna mód
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség
4V
Maximális teljesítménydisszipáció
45 W
Tranzisztorkonfiguráció
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség
-20 V, +20 V
Szélesség
4.5mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél
81 nC 10 V esetén
Hossz
10mm
Maximális működési hőmérséklet
+150 °C
Elemek száma chipenként
1
Tranzisztor anyaga
Si
Magasság
15mm