MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) TK Egyszeres Si

RS raktári szám:: 827-6274P
Gyártó cikkszáma:: TK7P60W,RVQ(S
Gyártó:: Toshiba

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) TK Egyszeres Si

Megszüntetett termék

RS raktári szám:: 827-6274P
Gyártó cikkszáma:: TK7P60W,RVQ(S
Gyártó:: Toshiba

TK7P60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	600 V
Csomag típusa	DPAK (TO-252)
Sorozat	TK
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	600 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	3.7V
Maximális teljesítménydisszipáció	60 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-30 V, +30 V
Elemek száma chipenként	1
Tranzisztor anyaga	Si
Szélesség	6.1mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	15 nC 10 V esetén
Hossz	6.6mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Magasság	2.3mm

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) TK Egyszeres Si

MOSFET N-Channel, TK6 és TK7 sorozat Toshiba