MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 830-3379P
Gyártó cikkszáma:: IRLR3410TRPBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si

3760 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon

243 Ft

(ÁFA nélkül)

308 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit
100 - 180	243 Ft
200 - 480	227 Ft
500 - 980	212 Ft
1000 +	196 Ft

RS raktári szám:: 830-3379P
Gyártó cikkszáma:: IRLR3410TRPBF
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Származási ország (Country of Origin):: CN

Termékadatok

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény

Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

A Infineon IRLR3410 egy 100 V-os, egy N-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET D-Pak tokozásban. A D-PAK-t gőzfázisú, infravörös vagy hullámforrasztó technikákkal történő felületszerelésre tervezték.

Advanced Process technológia
Gyors kapcsolás
Teljesen lavina minősítésű

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	17 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Sorozat	HEXFET
Csomag típusa	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	155 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	2V
Minimális kapu küszöbfeszültség	1V
Maximális teljesítménydisszipáció	79 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-16 V, +16 V
Szélesség	6.22mm
Hossz	6.73mm
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Elemek száma chipenként	1
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	34 nC 5 V esetén
Tranzisztor anyaga	Si
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	2.39mm

RS raktári szám:: 830-3379P
Gyártó cikkszáma:: IRLR3410TRPBF
Gyártó:: Infineon