MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 831-2840
Gyártó cikkszáma:: IRF540NSTRRPBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si

10 raktáron van a következő munkanapon való szállításra, ha a megrendelést 16:00 óra előtt feladják.

170 további szállítása 4 munkanapon belül.

Ár Darab (10 darabos csomagbol)

470 Ft

(ÁFA nélkül)

597 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csomagonként*
10 - 90	470 Ft	4 703 Ft
100 - 240	447 Ft	4 470 Ft
250 - 490	409 Ft	4 093 Ft
500 - 990	353 Ft	3 527 Ft
1000 +	296 Ft	2 961 Ft

RS raktári szám:: 831-2840
Gyártó cikkszáma:: IRF540NSTRRPBF
Gyártó:: Infineon

IRF540NSPbF, IRF540NLPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	33 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Sorozat	HEXFET
Csomag típusa	D2PAK (TO-263)
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	44 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	130 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Hossz	10.67mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	71 nC 10 V esetén
Elemek száma chipenként	1
Tranzisztor anyaga	Si
Szélesség	9.65mm
Magasság	4.83mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény