MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 831-2840P
Gyártó cikkszáma:: IRF540NSTRRPBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk

Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon

447 Ft

(ÁFA nélkül)

568 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként
100 - 240	447 Ft
250 - 490	409 Ft
500 - 990	353 Ft
1000 +	296 Ft

RS raktári szám:: 831-2840P
Gyártó cikkszáma:: IRF540NSTRRPBF
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény

Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	33 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Sorozat	HEXFET
Csomag típusa	D2PAK (TO-263)
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	44 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	130 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	71 nC 10 V esetén
Szélesség	9.65mm
Elemek száma chipenként	1
Tranzisztor anyaga	Si
Hossz	10.67mm
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Magasság	4.83mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C