MOSFET, 1 elem/chip, 130 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si

RS raktári szám:: 864-8483
Gyártó cikkszáma:: FDMS86350
Gyártó:: onsemi

MOSFET, 1 elem/chip, 130 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk

Ár Darab (2 darabos csomagbol)

597 Ft

(ÁFA nélkül)

758 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csomagonként*
2 +	597 Ft	1 194 Ft

RS raktári szám:: 864-8483
Gyártó cikkszáma:: FDMS86350
Gyártó:: onsemi

FDMS86350, N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 130A, 2.4mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	130 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	80 V
Sorozat	PowerTrench
Csomag típusa	PQFN8
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	8
Maximális nyelő forrásellenállás	3,8 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció	156 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Hossz	5.1mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	110 nC 10 V esetén
Elemek száma chipenként	1
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Szélesség	6.25mm
Tranzisztor anyaga	Si
Magasság	1.05mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

MOSFET, 1 elem/chip, 130 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor