Szolgáltatásaink
Ipari portál
Új termékek
Csomagkövetés
Bejelentkezés / Regisztráció
Jelentkezzen be
/
Regisztráljon,
hogy hozzáférjen az előnyökhöz
Menü
Gyártói szám
Legutóbb keresett
Biztonság és épületlakatosság
Irodai kellékek
Munkavédelem
Számítástechnika és perifériák
Tesztelés és mérés
Védőfelszerelés és munkaruházat
Épülettisztítás és karbantartás
Automatizálás és szabályozástechnika
Biztosítékok és megszakítók
Burkolatok és szerverszekrények
HVAC (fűtés, szellőztetés és klimatizálás)
Kapcsolók
Kábelek és vezetékek
Relék és jelkondicionálás
Világítás
Akkumulátorok és töltők
Csatlakozók
ESD-védett vezérlés, Tisztatér és NYÁK-prototípuskészítés
Félvezetők
Kijelzők és optoelektronikai termékek
Passzív alkatrészek
Raspberry Pi Arduino ROCK és fejlesztőeszközök
Tápegységek és transzformátorok
Csapágyak és tömítések
Elektromos szerszámok, Forrasztás és hegesztés
Hozzáférés, Tárolás és anyagmozgatás
Kézi szerszámok
Mechanikus erőátvitel
Mérnöki anyagok és ipari hardverek
Pneumatika és hidraulika
Ragasztók, tömítőanyagok és ragasztószalagok
Rögzítők és kötőelemek
Víz- és csővezetékek
Félvezetők
Diszkrét félvezetők
MOSFET-ek
MOSFET, 1 elem/chip, 1,9 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si
RS raktári szám:
871-6637
Gyártó cikkszáma:
MDD2N60RH
Gyártó:
MagnaChip
Kategória megtekintése
Megszüntetett termék
RS raktári szám:
871-6637
Gyártó cikkszáma:
MDD2N60RH
Gyártó:
MagnaChip
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Jellemzők
MDD2N60RH HV MOSFET N-CH 600V 1.9A D-PAK
ESD Control Selection Guide V1
RoHS követelményeknek megfelelő
Származási ország (Country of Origin):
CN
Nagyfeszültségű (HV) MOSFET
Nagy feszültség, N-csatornás MOSFET, alacsony készenléti ellenállással és nagy kapcsolási teljesítménnyel.
MOSFET tranzisztorok, MagnaChip
Tulajdonság
Érték
Csatorna típusa
N
Maximális folyamatos nyelőáram
1,9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség
600 V
Csomag típusa
DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa
Felületre szerelhető
Tüskék száma
3
Maximális nyelő forrásellenállás
4,5 Ω
Csatorna mód
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség
5V
Maximális teljesítménydisszipáció
42 W
Tranzisztorkonfiguráció
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség
-30 V, +30 V
Tranzisztor anyaga
Si
Elemek száma chipenként
1
Szélesség
6.22mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél
6,7 nC 10 V esetén
Hossz
6.73mm
Maximális működési hőmérséklet
+150 °C
Min. működési hőmérséklet
-55 °C
Magasság
2.39mm
Nyitóirányú diódafeszültség
1.4V