MOSFET, 1 elem/chip, 3,4 A, 400 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si

Megszüntetett termék

Műszaki referencia

Nagy feszültség, N-csatornás MOSFET, alacsony készenléti ellenállással és nagy kapcsolási teljesítménnyel.

MOSFET tranzisztorok, MagnaChip

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	3,4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	400 V
Csomag típusa	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	1,6 Ω
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	5V
Maximális teljesítménydisszipáció	45 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-30 V, +30 V
Tranzisztor anyaga	Si
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Hossz	6.73mm
Elemek száma chipenként	1
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	9 nC 10 V esetén
Szélesség	6.22mm
Magasság	2.39mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Nyitóirányú diódafeszültség	1.4V