MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 913-4789
Gyártó cikkszáma:: IRFR5305TRPBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si

4000 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Ár Darab (2000 egy tekercsen)

195 Ft

(ÁFA nélkül)

248 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit	orsónként*
2000 - 2000	195 Ft	390 800 Ft
4000 +	186 Ft	371 400 Ft
*ár

RS raktári szám:: 913-4789
Gyártó cikkszáma:: IRFR5305TRPBF
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Származási ország (Country of Origin):: MX

Termékadatok

P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon

Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tartalmaz, amelyek képesek kielégíteni az alaplap szinte bármilyen elrendezését és a termikus tervezési kihívást. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	P
Maximális folyamatos nyelőáram	31 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	55 V
Csomag típusa	DPAK (TO-252)
Sorozat	HEXFET
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	65 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	110 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Hossz	6.73mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	63 nC 10 V esetén
Szélesség	6.22mm
Tranzisztor anyaga	Si
Elemek száma chipenként	1
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	2.39mm

RS raktári szám:: 913-4789
Gyártó cikkszáma:: IRFR5305TRPBF
Gyártó:: Infineon