MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 915-5011P
Gyártó cikkszáma:: IRFR4510TRPBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk

Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon

230 Ft

(ÁFA nélkül)

292 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként
10 +	230 Ft

RS raktári szám:: 915-5011P
Gyártó cikkszáma:: IRFR4510TRPBF
Gyártó:: Infineon

IRFR4510PbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	63 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Sorozat	HEXFET
Csomag típusa	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	13,9 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	143 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Elemek száma chipenként	1
Tranzisztor anyaga	Si
Szélesség	7.49mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	54 nC 10 V esetén
Hossz	6.73mm
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	2.39mm
Nyitóirányú diódafeszültség	1.3V

MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény