MOSFET, 2 elem/chip, 6 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si
- RS raktári szám:
- 917-5490P
- Gyártó cikkszáma:
- FDS6975
- Gyártó:
- onsemi
Megszüntetett termék
- RS raktári szám:
- 917-5490P
- Gyártó cikkszáma:
- FDS6975
- Gyártó:
- onsemi
PowerTrench® Dual P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor
A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a kicsi kapufeltöltést (Qg), a kis fordított visszafejtési díjat (Qrr) és a puha hátrameneti térerősségvédő diódát, ami hozzájárul a szinkron egyenáram/egyenáram ellátás gyors átkapcsolásához.
A legújabb PowerTTrench® MOSFET-ek a terheléselosztást biztosító árnyékolt kapuszerkezetet alkalmazzák. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegyábra) jóval kisebb az előző generációhoz képest.
A PowerTTrench® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítményén kiküszöbölhető a rugalmas áramkör, illetve kicserélhető a nagyobb névleges feszültségű MOSFET.
A legújabb PowerTTrench® MOSFET-ek a terheléselosztást biztosító árnyékolt kapuszerkezetet alkalmazzák. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegyábra) jóval kisebb az előző generációhoz képest.
A PowerTTrench® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítményén kiküszöbölhető a rugalmas áramkör, illetve kicserélhető a nagyobb névleges feszültségű MOSFET.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Csatorna típusa | P |
Maximális folyamatos nyelőáram | 6 A |
Maximális nyelő forrásfeszültség | 30 V |
Sorozat | PowerTrench |
Csomag típusa | SOIC |
Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
Tüskék száma | 8 |
Maximális nyelő forrásellenállás | 32 mΩ |
Csatorna mód | Növekményes |
Maximális teljesítménydisszipáció | 2 W |
Tranzisztorkonfiguráció | Izolált |
Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V |
Szélesség | 4mm |
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 14,5 nC 5 V esetén |
Hossz | 5mm |
Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
Tranzisztor anyaga | Si |
Elemek száma chipenként | 2 |
Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
Magasság | 1.5mm |