MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 919-4842
Gyártó cikkszáma:: IRF530NPBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk

Ár Darab (egy rudon 50)

264 Ft

(ÁFA nélkül)

335 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csövenként*
50 - 50	264 Ft	13 185 Ft
100 - 200	203 Ft	10 155 Ft
250 - 450	190 Ft	9 495 Ft
500 - 1200	177 Ft	8 835 Ft
1250 +	164 Ft	8 175 Ft

RS raktári szám:: 919-4842
Gyártó cikkszáma:: IRF530NPBF
Gyártó:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	17 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Sorozat	HEXFET
Csomag típusa	TO-220AB
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	90 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	70 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	37 nC 10 V esetén
Hossz	10.54mm
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Elemek száma chipenként	1
Tranzisztor anyaga	Si
Szélesség	4.69mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	8.77mm

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény