STMicroelectronics AEC-Q100-002 EEPROM M95M01E-FMN6TP 128 kB SPI, 8-tüskés SO-8N

Összevont kedvezmény elérhető

Részösszeg (1 egység)*

226 Ft

(ÁFA nélkül)

287 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 284 egység szállítása 2026. május 25. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 24226 Ft
25 - 99195 Ft
100 - 499187 Ft
500 - 999183 Ft
1000 +179 Ft

*irányár

RS raktári szám:
734-059
Gyártó cikkszáma:
M95M01E-FMN6TP
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

EEPROM

Memória mérete

128kB

Interfész típusa

SPI

Csomag típusa

SO-8N

Rögzítés típusa

Felületre szerelt

Tüskék száma

8

Maximális óra frekvencia

20MHz

Minimális tápfeszültség

1.7V

Maximális tápfeszültség

5.5V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

85°C

Magasság

1.2mm

Sorozat

M95M01E

Hossz

6mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHs Compliant

Járműipari szabvány

AEC-Q100-002

Adatmegőrzés

200year

Áramellátás

5mA

Az STMicroelectronics EEPROM-eszköz egy nagy teljesítményű, nem illékony memóriamegoldás, amelyet beágyazott rendszerekhez terveztek. 131072 x 8 bitként van rendezve, és az SPI buszon keresztül érhető el, így gyors és megbízható kommunikációt biztosít. A széles tápfeszültség-támogatással és a széles hőmérséklet-tartományban garantált működésével jól alkalmas a biztonságos és hatékony adattárolást igénylő ipari és fogyasztói alkalmazásokhoz.

Memóriakapacitás: 1 Mbit, ami 128 KB-nak felel meg

Oldalméret: 256 bájt, további 256 bájt zárható azonosító oldal

Tápfeszültség-tartomány: 1,7 V és 5,5 V között

Üzemi hőmérséklet-tartomány: mínusz 40 °C és plusz 85 °C között

Órafrekvenciakapacitás akár 16 MHz-ig

Bájt- és oldalírási ciklusidő 3,5 MS-en belül, jellemzően 2,6 MS

Schmitt trigger bemenetek a zaj hatékony szűréséhez

Szoftveres írásvédelem negyedrészes blokk és hardveres írásvédelem a teljes memóriatömb számára

Továbbfejlesztett ESD és reteszelés elleni védelem 4000 V-os emberi test modelljének névleges feszültségével

Kapcsolódó linkek