Infineon AEC-Q100 1. fokozat Soros (SPI) autóipari FRAM FM25C160B-G, Soros SPI 16 kB, 2k x 8 bit, 125 °C, 40 °C,

Összevont kedvezmény elérhető

Részösszeg (1 cső / 97 egység)*

57 657 Ft

(ÁFA nélkül)

73 225 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 1843 egység szállítása 2026. május 04. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csövenként*
97 - 97594,40 Ft57 657 Ft
194 +579,50 Ft56 212 Ft

*irányár

RS raktári szám:
273-7384
Gyártó cikkszáma:
FM25C160B-G
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Memória mérete

16kB

Terméktípus

Soros (SPI) autóipari FRAM

Szervezet

2k x 8 bit

Interfész típusa

Soros SPI

Adatbusz szélessége

8bit

Maximális óra frekvencia

15MHz

Csomag típusa

SOIC-8

Tüskék száma

8

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Maximális működési hőmérséklet

125°C

Minimális tápfeszültség

4.5V

Szavak száma

2k

Maximális tápfeszültség

5.5V

Min. működési hőmérséklet

40°C

Szavankénti bitszám

8

Járműipari szabvány

AEC-Q100 1. fokozat

Az Infineon FRAM egy 16 Kbit-es, nem illékony memória, amely fejlett ferroelektromos folyamatot alkalmaz. A vas-elektromos véletlenszerű hozzáférésű memória vagy FRAM nem illékony, és a RAM-hoz hasonlóan olvas és ír. Megbízható adatmegőrzést biztosít 121 évig, miközben kiküszöböli az EEPROM és más nem illékony memóriák által okozott bonyolultságot, túlfeszültséget és rendszerszintű megbízhatósági problémákat. Az EEPROM-mal ellentétben buszsebességgel végez írási műveleteket. Nincs írási késleltetés. Az adatok azonnal íródnak a memória tömbjébe, miután minden egyes bájt sikeresen átkerült az eszközre. A következő buszciklus adatfelmérés nélkül is elkezdődhet. Ezenkívül a termék jelentős írási tartósságot biztosít a többi nem illékony memóriához képest.

RoHS-kompatibilis

Alacsony energiafogyasztás

AEC Q100 1. osztályú

Nagyon gyors soros perifériás interfész

Bonyolult írásvédelmi rendszer

Nagy tartósság, 10 trillió olvasási és írási képesség

Fejlett, nagy megbízhatóságú ferroelektromos folyamat

Kapcsolódó linkek