STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 IGBT N típus-csatornás, 5 A, 1200 V, 690 ns, 3-tüskés Felület, TO-252

Minden IGBT-k megtekintése
Összevont kedvezmény elérhető

Részösszeg (1 csomag / 5 egység)*

3033 Ft

(ÁFA nélkül)

3852 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 6890 egység szállítása 2026. május 25. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
5 - 20606,60 Ft3 033 Ft
25 - 45576,20 Ft2 881 Ft
50 - 120519,20 Ft2 596 Ft
125 - 245466,40 Ft2 332 Ft
250 +442,80 Ft2 214 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
877-2879
Gyártó cikkszáma:
STGD5NB120SZT4
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

5A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

75W

Csomag típusa

TO-252

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

690ns

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Hossz

6.2mm

Magasság

2.2mm

Sorozat

H

Szabványok/jóváhagyások

JEDEC JESD97, ECOPACK

Járműipari szabvány

Nem

Energiabesorolás

12.68mJ

Származási ország (Country of Origin):
CN

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek