AEC-Q100 FRAM memória FM25CL64B-DG, SPI 64kbit, 8K x 8 bit, 20ns, 2,7 V – 3,65 V, -40 °C és +85 °C között, 8-tüskés, DFN

A Ferroelektromos Véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) energiahatékony, és a soros és párhuzamos interfészeken egyaránt a legnagyobb megbízhatósággal rendelkezik a nem felejtő kosoknak. Az A jelű alkatrészeket járműalkalmazásokhoz tervezték, és az AEC-Q100 mellé állnak.

Nemfelejtő Ferroelektromos Ram Memória
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel

64-Kbit-os ferromágneses véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) logikailag 8K x 8-as elrendezésben
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatvisszatartás
NoDelay™ ír
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
Nagyon gyors soros perifériainterfész (SPI)
Akár 20 MHz frekvencia
A soros flash és az EEPROM közvetlen hardvercseréje
Az SPI 0 (0, 0) és 3 (1, 1) módot támogatja
Kifinomult írásvédelmi rendszer
Hardvervédelem az Write Protect (WP) csap használatával
Szoftveres védelem az Írás letiltás utasítás használatával
1/4, 1/2 vagy teljes tömb szoftverblokk-védelme
Kis teljesítményfelvétel
200 μA aktív áramerősség 1 MHz-en
3 μA (tipp) készenléti áram
Kisfeszültségű működés: VDD = 2,7 V és 3,65 V között
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
Csomagok
8-tűs kis méretű, integrált áramkörű (SOIC) csomag
8-pólusú vékony kettős lapos vezeték (DFN) csomag

Far (Ferroelektromos RAM)

A fraim (Ferroelektromos Random Access Memory) egy nem felejtő memória, amely ferroelektromos filmet használ kondenzátorként az adatok tárolásához. A ROM- és RAM-eszközök jellemzőinek birtokában az F-RAM jellemzője a nagy sebességű hozzáférés, az írás módban nagy élettartam, az alacsony energiafogyasztás, az illékonyság és a kiváló szabotázsvédelem. Ezért ideális memória olyan intelligens kártyák számára, amelyeknek magas szintű biztonságra és alacsony áramfogyasztásra, valamint mobiltelefonokra és egyéb eszközökre van szükségük.