Gyártói szám

onsemi NXH800H120L7QDSG IGBT tápmodul Félhíd N típus, P típus-csatornás, 800 A, 1200 V, 11-tüskés, PIM11 Furatszerelt 2

RS raktári szám:: 277-059
Gyártó cikkszáma:: NXH800H120L7QDSG
Gyártó:: onsemi

onsemi NXH800H120L7QDSG IGBT tápmodul Félhíd N típus, P típus-csatornás, 800 A, 1200 V, 11-tüskés, PIM11 Furatszerelt 2

Részösszeg (1 egység)*

82 950 Ft

(ÁFA nélkül)

105 346 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Raktáron

További 24 egység szállítása 2026. augusztus 24. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként
1 +	82 950 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 277-059
Gyártó cikkszáma:: NXH800H120L7QDSG
Gyártó:: onsemi

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	onsemi
	Terméktípus	IGBT tápmodul
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	800A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	1200V
	Tranzisztorok száma	2
	Kiosztás Konfigurációs Blokk	Félhíd
	Csomag típusa	PIM11
	Rögzítés típusa	Furatszerelt
	Csatorna típusa	N típus, P típus
	Tüskék száma	11
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	2.05V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	20 V
	Min. működési hőmérséklet	-40°C
	Maximális működési hőmérséklet	175°C
	Magasság	20.8mm
	Szabványok/jóváhagyások	RoHS
	Hossz	152mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka onsemi
	Terméktípus IGBT tápmodul
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 800A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 1200V
	Tranzisztorok száma 2
	Kiosztás Konfigurációs Blokk Félhíd
	Csomag típusa PIM11
	Rögzítés típusa Furatszerelt
	Csatorna típusa N típus, P típus
	Tüskék száma 11
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.05V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V
	Min. működési hőmérséklet -40°C
	Maximális működési hőmérséklet 175°C
	Magasság 20.8mm
	Szabványok/jóváhagyások RoHS
	Hossz 152mm
	Járműipari szabvány Nem

Datasheet - NXH800H120L7QDSG

Származási ország (Country of Origin):: CN

Az ON Semiconductor félhíd IGBT teljesítménymodul integrált Field Stop Trench 7 IGBT-ket és Gen. 7 diódákat tartalmaz, amelyek alacsonyabb vezetési és kapcsolási veszteséget biztosítanak. Ez a kialakítás nagy hatékonyságot és kiváló megbízhatóságot tesz lehetővé. A modul 1200 V-os, 800 A-os 2 az 1-ben félhídként van konfigurálva, így ideális olyan alkalmazásokhoz, amelyek robusztus teljesítményt és optimális áramátalakítási hatékonyságot igényelnek.

NTC termisztor

Elszigetelt alaplemez

Forrasztható csapok

Alacsony induktív elrendezés

Pb mentes

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.