STMicroelectronics AEC-Q101 STGWA30M65DF2AG IGBT, 87 A, 650 V, 3-tüskés, 247 LL-RE Furatszerelt 1
- RS raktári szám:
- 330-470
- Gyártó cikkszáma:
- STGWA30M65DF2AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
1500 Ft
(ÁFA nélkül)
1905 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 600 egység szállítása 2026. szeptember 14. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 1 500 Ft |
| 10 - 99 | 1 380 Ft |
| 100 - 499 | 1 350 Ft |
| 500 - 999 | 1 313 Ft |
| 1000 + | 1 279 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 330-470
- Gyártó cikkszáma:
- STGWA30M65DF2AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 87A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 650V | |
| Tranzisztorok száma | 1 | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 441W | |
| Csomag típusa | 247 LL-RE | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 20 V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Magasság | 21mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | AEC-Q101 | |
| Hossz | 19.92mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 87A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 650V | ||
Tranzisztorok száma 1 | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 441W | ||
Csomag típusa 247 LL-RE | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Magasság 21mm | ||
Szabványok/jóváhagyások AEC-Q101 | ||
Hossz 19.92mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
Kivétel
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics IGBT fejlett, szabadalmaztatott trench gate fieldstop struktúrával fejlesztette ki. Az eszköz az M sorozatú IGBT-k része, amelyek az inverterrendszer teljesítményének és hatékonyságának optimális egyensúlyát képviselik, ahol az alacsony veszteség és a rövidzárlat funkcionalitása elengedhetetlen.
Szoros paramétereloszlás
Alacsony hőellenállás
Lágy és nagyon gyorsan visszaállítható antiparalell dióda
Kapcsolódó linkek
- STMicroelectronics AEC-Q101 STGWA50M65DF2AG IGBT Szimpla N-csatornás 650 V TO-247 Furatszerelt 1
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 650 V PowerPAK Vishay TrenchFET SIHL033N60SF-GE3
- ROHM RGW00TS65CHRC11 IGBT Szimpla N-csatornás 650 V TO-247N Furatszerelt 1
- STMicroelectronics STGWA30HP65FB2 IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, 247 LL-RE
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, 247 LL-RE
- ROHM AEC-Q101 RGA80TRX2EHRC15 IGBT 1200 V TO-247-4L Furatszerelt 1
- ROHM AEC-Q101 RGA80TSX2HRC11 IGBT 1200 V TO-247N Furatszerelt 1
- ROHM AEC-Q101 RGA80TRX2HRC15 IGBT 1200 V TO-247-4L Furatszerelt 1
