Infineon IKP06N60TXKSA1 IGBT N típus-csatornás, 12 A, 600 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 10 egység)*

4725 Ft

(ÁFA nélkül)

6001 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 30 egység szállítása 2026. augusztus 24. dátumtól
  • További 270 egység szállítása 2026. augusztus 31. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
10 - 40472,50 Ft4 725 Ft
50 - 90449,30 Ft4 493 Ft
100 - 240430,10 Ft4 301 Ft
250 - 490411,40 Ft4 114 Ft
500 +382,90 Ft3 829 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
110-7169
Gyártó cikkszáma:
IKP06N60TXKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

12A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

88W

Csomag típusa

TO-220

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.05V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

TrenchStop

Szabványok/jóváhagyások

JEDEC, RoHS

Energiabesorolás

0.335mJ

Járműipari szabvány

Nem

Infineon TrenchStop IGBT tranzisztorok, 600 és 650V


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültsége 600 és 650 V között van

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.