Infineon IKW40N65H5FKSA1 IGBT N típus-csatornás, 40 A, 650 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- RS raktári szám:
- 110-7779
- Gyártó cikkszáma:
- IKW40N65H5FKSA1
- Gyártó:
- Infineon
Jelenleg nem elérhető
Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
- RS raktári szám:
- 110-7779
- Gyártó cikkszáma:
- IKW40N65H5FKSA1
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 40A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 650V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 250W | |
| Csomag típusa | TO-247 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N típus | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.1V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V | |
| Min. működési hőmérséklet | -40°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | JEDEC, RoHS | |
| Sorozat | High Speed Fifth Generation | |
| Energiabesorolás | 0.51mJ | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 40A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 650V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 250W | ||
Csomag típusa TO-247 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N típus | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.1V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V | ||
Min. működési hőmérséklet -40°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások JEDEC, RoHS | ||
Sorozat High Speed Fifth Generation | ||
Energiabesorolás 0.51mJ | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Infineon TrenchStop IGBT tranzisztorok, 600 és 650V
Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.
• A Kollektor feszültsége 600 és 650 V között van
Igen alacsony VCéni
• Gyenge a kikapcsolódási veszteség
• Rövid hátsó áramerősség
• Alacsony EMI
• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C
IGBT diszkrét és Infineon
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- Infineon IHW40N65R5XKSA1 IGBT N típus-csatornás 650 V TO-247
- STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 IGBT N típus-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- Infineon IGBT N típus-csatornás 650 V TO-247
- Infineon IKW40N65F5FKSA1 IGBT N típus-csatornás 650 V TO-247
- onsemi FGHL50T65SQDT IGBT N típus-csatornás 650 V TO-247
- Infineon IGW30N65L5XKSA1 IGBT N típus-csatornás 650 V TO-247
- Infineon IKZ50N65EH5XKSA1 IGBT N típus-csatornás 650 V TO-247
- Infineon IKW75N65EH5XKSA1 IGBT N típus-csatornás 650 V TO-247