onsemi IGBT N-csatornás, 120 A, 600 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247AB

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

46 260 Ft

(ÁFA nélkül)

58 740 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 360 egység szállítása 2026. szeptember 14. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csövenként*
30 - 301 542 Ft46 260 Ft
60 - 1201 480,40 Ft44 412 Ft
150 +1 434,10 Ft43 023 Ft

*irányár

RS raktári szám:
124-1320
Gyártó cikkszáma:
FGH60N60SMD
Gyártó:
onsemi
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

onsemi

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

120A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

600W

Csomag típusa

TO-247AB

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.9V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS Compliant

Sorozat

Field Stop 2nd generation

Járműipari szabvány

Nem

Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor


IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.