Infineon IGBT N típus-csatornás, 100 A, 600 V, 273 ns, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

36 927 Ft

(ÁFA nélkül)

46 896 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 180 egység szállítása 2026. augusztus 31. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
csövenként*
30 +1 230,90 Ft36 927 Ft

*irányár

RS raktári szám:
124-8810
Gyártó cikkszáma:
IKW50N60H3FKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

100A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

333W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

273ns

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.3V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

TrenchStop

Szabványok/jóváhagyások

RoHS, JEDEC

Energiabesorolás

2.55mJ

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
CN

Infineon TrenchStop IGBT tranzisztorok, 600 és 650V


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültsége 600 és 650 V között van

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.