onsemi IGBT-Field Stop II N-csatornás, 80 A, 650 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Jelenleg nem elérhető
Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
RS raktári szám:
145-3469
Gyártó cikkszáma:
NGTB40N65FL2WG
Gyártó:
onsemi
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

onsemi

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

80A

Terméktípus

IGBT-Field Stop II

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

366W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Hossz

21.34mm

Szélesség

16.25mm

Sorozat

Field Stop

Magasság

5.3mm

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
CN

On Semiconductor IGBT diszkrét


Szigetelt Gate bipoláris tranzisztorok (IGBT) motormeghajtókhoz és egyéb nagy áramerősségű kapcsolási alkalmazásokhoz.

On Semiconductor IGBT diszkrét


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.