Infineon IGBT N típus-csatornás, 26 A, 600 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 cső / 50 egység)*

25 200 Ft

(ÁFA nélkül)

32 000 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • 500 egység szállítása 2026. október 08. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csövenként*
50 - 50504 Ft25 200 Ft
100 - 200408,20 Ft20 410 Ft
250 - 450383 Ft19 150 Ft
500 - 950352,90 Ft17 645 Ft
1000 +327,60 Ft16 380 Ft

*irányár

RS raktári szám:
145-8596
Gyártó cikkszáma:
IKP15N60TXKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

26A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

130W

Csomag típusa

TO-220

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.05V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

JEDEC

Sorozat

TrenchStop

Energiabesorolás

0.81mJ

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
MY

Infineon TrenchStop IGBT tranzisztorok, 600 és 650V


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültsége 600 és 650 V között van

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.