Infineon IGBT N-csatornás, 75 A, 600 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 60 hozzáadása 9% megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

37 965 Ft

(ÁFA nélkül)

48 216 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Korlátozott készlet
  • További 1170 egység szállítása 2026. november 12. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csövenként*
Megtakarítás
30 - 301 265,50 Ft37 965 Ft-
60 - 1201 151,60 Ft34 548 Ft9%
150 +1 122,50 Ft33 675 Ft11%

*irányár

RS raktári szám:
145-9177
Gyártó cikkszáma:
IGW75N60H3FKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

75A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

428W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.3V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Magasság

40.6mm

Szélesség

15.7mm

Szabványok/jóváhagyások

JEDEC, RoHS

Energiabesorolás

6.2mJ

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
MY

Infineon TrenchStop IGBT tranzisztorok, 600 és 650V


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültsége 600 és 650 V között van

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.