Infineon IGBT N-csatornás, 25 A, 1200 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

RS raktári szám:: 165-5770
Gyártó cikkszáma:: IGW25N120H3FKSA1
Gyártó:: Infineon

Infineon IGBT N-csatornás, 25 A, 1200 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

30 105 Ft

(ÁFA nélkül)

38 232 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Átmenetileg nincsen készleten

240 egység szállítása 2026. október 29. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként	csövenként*
30 - 30	1 003,50 Ft	30 105 Ft
60 - 120	953,30 Ft	28 599 Ft
150 +	913,30 Ft	27 399 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 165-5770
Gyártó cikkszáma:: IGW25N120H3FKSA1
Gyártó:: Infineon

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	Infineon
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	25A
	Terméktípus	IGBT
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	1200V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	326W
	Csomag típusa	TO-247
	Rögzítés típusa	Furatszerelt
	Csatorna típusa	N
	Tüskék száma	3
	Kapcsolási típus	1MHz
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	±20 V
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	2.05V
	Min. működési hőmérséklet	-40°C
	Maximális működési hőmérséklet	175°C
	Sorozat	TrenchStop
	Szabványok/jóváhagyások	JEDEC, RoHS
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka Infineon
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 25A
	Terméktípus IGBT
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 1200V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 326W
	Csomag típusa TO-247
	Rögzítés típusa Furatszerelt
	Csatorna típusa N
	Tüskék száma 3
	Kapcsolási típus 1MHz
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.05V
	Min. működési hőmérséklet -40°C
	Maximális működési hőmérséklet 175°C
	Sorozat TrenchStop
	Szabványok/jóváhagyások JEDEC, RoHS
	Járműipari szabvány Nem

Származási ország (Country of Origin):: CN

Az Infineon TranchStop IGBT tranzisztorok, 1100 és 1600 V között

Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 1100 és 1600 V közötti feszültségszintű kollektorral TranchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültségtartománya 1100 és 1600 V között

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Infineon IGBT N-csatornás, 25 A, 1200 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Az Infineon TranchStop IGBT tranzisztorok, 1100 és 1600 V között

IGBT diszkrét és Infineon

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!