Infineon IGBT-modul N típus-csatornás, 200 A, 1200 V Bilincs, AG-ECONO3-4

Részösszeg (1 tálca / 10 egység)*

409 140 Ft

(ÁFA nélkül)

519 610 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 10 egység szállítása 2026. augusztus 24. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
tálcánként*
10 +40 914 Ft409 140 Ft

*irányár

RS raktári szám:
166-1096
Gyártó cikkszáma:
FS150R12KE3BOSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

200A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

700W

Csomag típusa

AG-ECONO3-4

Rögzítés típusa

Bilincs

Csatorna típusa

N típus

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.15V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

125°C

Magasság

17mm

Sorozat

FS150R12KE3

Hossz

122mm

Szabványok/jóváhagyások

EN61140, IEC61140

Járműipari szabvány

Nem

Nem megfelelő

Származási ország (Country of Origin):
HU

IGBT modulok, Infineon


Az IGBT modulok Infineon tartománya alacsony kapcsolási veszteséget kínál akár 60 Khz-es frekvenciákra történő kapcsoláshoz.

Az IGBT-k a különböző teljesítménymodulok között terjednek, mint például a 2008-as FEATÉRcsomagok, amelyek kollektorfeszültsége 1200 V, a PrimePACK IGBT félhíds aprítómodulok, amelyek NTC-től 1600/1700 V-ig A PrimePACK IGBT termékek Megtalálhatók Az Ipari, kereskedelmi, építőipari és mezőgazdasági járművekben is. Az N-csatornás TRENCHSTOP TM és Fieldstop IGBT modulok alkalmasak olyan hardveres kapcsolású és szoftveres kapcsolási alkalmazásokhoz, Mint Az Inverterek, az UPS és Az Ipari meghajtók.

A packák stílusa: 62 mm-es modulok, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.