IXYS IXYN100N120C3 IGBT N típus-csatornás, 152 A, 1200 V, 50 kHz, 4-tüskés Felület, SOT-227B

Részösszeg (1 cső / 10 egység)*

132 251 Ft

(ÁFA nélkül)

167 959 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. augusztus 19. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
csövenként*
10 +13 225,10 Ft132 251 Ft

*irányár

RS raktári szám:
168-4758
Gyártó cikkszáma:
IXYN100N120C3
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

152A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

830W

Csomag típusa

SOT-227B

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

4

Kapcsolási típus

50kHz

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

3.5V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Sorozat

Planar

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
US

IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat


Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyabb energiaveszteséget eredményez. Ezek az eszközök rövid átkapcsolási időt biztosítanak alacsony zárlati árammal, és számos ipari szabvány és egyedi csomagban kaphatók.

Nagy teljesítménysűrűség és alacsony VCE (sat)

Négyzetes eltérés Biztonságos Működési Területek (RBSOA) a névleges működési feszültségig

10usec készülék rövidzárlati teljesítménye

Pozitív bekapcsolási feszültség hőmérsékleti együttható

Opcionális tartozékként csomagolatlan Sonic-FRD™ vagy HiPerFRED™ diódák

Nemzetközi szabványos és gyártóspecifikus nagyfeszültségű csomagok

IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.