STMicroelectronics STGW60H65DFB IGBT N-csatornás, 80 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres
- RS raktári szám:
- 168-7096
- Gyártó cikkszáma:
- STGW60H65DFB
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2025.05.06. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (egy rudon 30)
1 642 Ft
(ÁFA nélkül)
2 086 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit | csövenként* |
| 30 - 30 | 1 642 Ft | 49 266 Ft |
| 60 - 120 | 1 314 Ft | 39 414 Ft |
| 150 + | 1 183 Ft | 35 475 Ft |
| *ár | ||
- RS raktári szám:
- 168-7096
- Gyártó cikkszáma:
- STGW60H65DFB
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Engedélyezés és megfelelőség
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Termékadatok
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Maximális folyamatos kollektoráram | 80 A |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 650 V |
| Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±20V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 375 W |
| Csomag típusa | TO-247 |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt |
| Csatorna típusa | N |
| Tüskék száma | 3 |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Méret | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +175 °C |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |