STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 30 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

33 135 Ft

(ÁFA nélkül)

42 081 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
A készletinformáció jelenleg nem elérhető - Kérjük, látogasson vissza később

Egység
Egységenként
csövenként*
30 - 301 104,50 Ft33 135 Ft
60 - 1201 020,40 Ft30 612 Ft
150 +1 007,90 Ft30 237 Ft

*irányár

RS raktári szám:
168-7752
Gyártó cikkszáma:
STGW30NC60WD
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

30A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

200W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.5V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Magasság

20.15mm

Hossz

14.8mm

Szabványok/jóváhagyások

JEDEC Standard JESD97

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek